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硅 Si 大光敏面四象限探測器 1064nm  

器件是N型硅象限探測器,當光輻射到器件各個象限的輻射通量相等時,則各個象限輸出的光電流相等。而當目標發生偏移時,由于象限間輻射通量的變化,引起各個象限的輸出光電流的變化,由此可測出物體的方位,……

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產品型號
型號 貨號 操作 名稱
SIQ1600  E80040004  4-6 周    1064nm 四象限Si光電探測器(N型硅象限探測器 光敏面直徑 16mm,直流響應度 0.3A/W)   [PDF] 光敏面直徑 16mm;直流響應度 0.3A/W; 光敏材料 Si; 擊穿電壓 200V    價格 : 請聯系客服 庫存:請咨詢客服
SIQ1000  E80040002  4-6 周    1064nm 四象限Si光電探測器(N型硅象限探測器 光敏面直徑 10mm,直流響應度 0.3A/W)   [PDF] 光敏面直徑 10mm;直流響應度 0.3A/W; 光敏材料 Si; 擊穿電壓 200V    價格 : 請聯系客服 庫存:請咨詢客服
總覽

器件是N型硅象限探測器,當光輻射到器件各個象限的輻射通量相等時,則各個象限輸出的光電流相等。而當目標發生偏移時,由于象限間輻射通量的變化,引起各個象限的輸出光電流的變化,由此可測出物體的方位,從而起到跟蹤、制導的作用。

產品特點

● 標低暗電流

● 高均勻性、高對稱性    

● 高可靠性  

● 盲區小

技術參數

特性參數

符號

測試條件

(除另有規定外,TA=22℃±3℃)

參數值

zui小值

zui大值

響應度(交流)(象限)

Spi

λ=1.064μm

VR=135 V

脈寬20 ns、Pin=2 mW

0.25

A/W

響應度(直流)(象限)

Rei

直流、Pin=1μw

0.30

響應度變化量(直流) (象限)a

響應度變化量(交流) (象限)a

ΔRei

TA=-45 ℃±2 ℃

50

%

暗電流(象限)

IDi

VR=135V

Pin=0μw

TA=22℃±3℃

1

μA

TA=70℃±3℃

10

暗電流(環)

ID

TA=22℃±3℃

10

TA=70℃±3℃

100

結電容(象限)

Cji

VR=135V,f=1MHz

15

pF

光敏面直徑

φ


10

16

mm

等效噪聲功率

NEPi

λ=1.064 μm,VR=135 V ,脈寬20 ns

5×10-12

W/HZ1/2

擊穿電壓(象限、環)

VBR

IR=10μA

200

V

象元間靈敏度非均勻性

Rf

λ=1.064 μm,VR=135 V ,脈寬20 ns;Pin=2mW

5

%

象元內靈敏度非均勻性

Rfn

λ=1.064 μm,VR=135 V ,脈寬20 ns;Pin=2mW

5

%

象元間竄擾因子

SLi

λ=1.064 μm,VR=135 V ,脈寬20 ns;Pin=2mW

5

%

通用參數

外形結構

TO型氣密性封裝。外形結構見圖1,外形尺寸見表1。

2345截圖20191014101445.png

2345截圖20191014101905.png

表1、外形尺寸(單位為毫米)

尺寸符號

φD1

ΦD2

ΦD3

ΦD4

ΦD5

Φd

A

L1

L2

L3

e

zui小值

30.55

27.80

3.00

27.915

22.60

0.98

7.03

3.02

1.85

2.70

18.00

zui大值

30.65

28.00

3.06

27.94

23.40

1.02

7.20

3.10

1.95

3.00

18.05


引出端排列

器件的引出端排列見圖2,引出端功能應符合表2的規定。

2345截圖20191014103311.png

表2、引出端功能表

管腳

功能

電壓極性

1

象限1

2

公共P極

3

象限4

4

環極

5

象限3

6

殼體

7

象限2

產品應用

● 激光瞄準、制導跟蹤及探索裝置

● 激光微定位、位移監控等精密測量系統










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