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GaSe(硒化鎵)太赫茲晶體  

GaSe(硒化鎵)晶體的太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域,至41THz。GaSe是負單軸層狀半導體晶體,擁有六邊形結構的62m空間點群,300K時禁帶寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾值高,非線性系數大(54pm/V),非……

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THZ-GASE-10-10-1  G80010020  6-8 周    硒化鎵晶體   [PDF] Z-cut, 10 x 10 x 1mm    價格 : 請聯系客服 庫存:請咨詢客服
THZ-GASE-5-5-1   G80010027  6-8 周    GaSe硒化鎵晶體 THZ太赫茲晶體   [PDF] Z-cut;5 x 5 x 1mm    價格 : 請聯系客服 庫存:請咨詢客服
THZ-GASE-5-5-0.35   G80010026  6-8 周    GaSe硒化鎵晶體 THZ太赫茲晶體   [PDF] Z-cut;5 x 5 x 0.35mm    價格 : 請聯系客服 庫存:請咨詢客服
THZ-GASE-5-5-0.2   G80010025  6-8 周    硒化鎵晶體   [PDF] Z-cut;5 x 5 x 0.2mm    價格 : 請聯系客服 庫存:請咨詢客服
THZ-GASE-10-10-0.1  G80010015  6-8 周    硒化鎵晶體   [PDF] Z-cut;10 x 10 x 0.1mm    價格 : 請聯系客服 庫存:請咨詢客服
THZ-GASE-10-10-0.15  G80010016  6-8 周    硒化鎵晶體   [PDF] Z-cut;10 x 10 x 0.15mm    價格 : 請聯系客服 庫存:請咨詢客服
THZ-GASE-10-10-0.2  G80010017  6-8 周    硒化鎵晶體   [PDF] Z-cut;10 x 10 x 0.2mm    價格 : 請聯系客服 庫存:請咨詢客服
THZ-GASE-10-10-0.3  G80010018  6-8 周    硒化鎵晶體   [PDF] Z-cut;10 x 10 x 0.3mm    價格 : 請聯系客服 庫存:請咨詢客服
THZ-GASE-10-10-0.5   G80010019  6-8 周    硒化鎵晶體   [PDF] Z-cut;10 x 10 x 0.5mm    價格 : 請聯系客服 庫存:請咨詢客服
THZ-GASE-10-10-2   G80010021  6-8 周    硒化鎵晶體   [PDF] Z-cut;10 x 10 x 2mm    價格 : 請聯系客服 庫存:請咨詢客服
THZ-GASE-5-5-0.05  G80010022  6-8 周    硒化鎵晶體   [PDF] Z-cut;5 x 5 x 0.05mm    價格 : 請聯系客服 庫存:請咨詢客服
THZ-GASE-5-5-0.1   G80010023  6-8 周    硒化鎵晶體   [PDF] Z-cut;5 x 5 x 0.1mm    價格 : 請聯系客服 庫存:請咨詢客服
THZ-GASE-5-5-0.15  G80010024  6-8 周    硒化鎵晶體   [PDF] Z-cut;5 x 5 x 0.15mm     價格 : 請聯系客服 庫存:請咨詢客服
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GaSe(硒化鎵)晶體的太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域,至41THz。GaSe是負單軸層狀半導體晶體,擁有六邊形結構的62m空間點群,300K時禁帶寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾值高,非線性系數大(54pm/V),非常合適的透明范圍,以及超低的吸收系數,這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。因寬帶太赫茲振蕩和探測使用的是低于20飛秒的激光光源,GaSe發射-探測系統能獲得與ZnTe可比的甚至更好的結果。通過對GaSe晶體厚度的選取,我們可以實現對THz波的頻率可選擇性控制。

注:GaSe晶體的解理面為(001),因此對該晶體使用的一個很大限制在于質軟,易碎。

產品特點

● 太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域

● 抗損傷閾值高

● 非線性系數大

● CO2激光的SHG

● 多種尺寸可選

● 客戶導向的解決方案

● 接受客戶定制服務


技術參數

GaSe晶體的透過率曲線

thz1.jpg

實驗室光路系統

thz2.png


EOS測量及反演結果

thz3.png

產品應用

● 太赫茲時域系統

● 太赫茲源晶體

● 中遠紅外氣體探測

●  CO2激光的SHG

● THZ實驗光源

● 太赫茲成像










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